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FQB30N06TM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 79W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 945pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 30A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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Otros incluyen   "FQB30"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB30N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2578
FQB30N06L F CIs Calientes Especializados 10799
FQB30N06L MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 23693
fqb30n06lmt FAIRCHIL CIs Calientes Especializados 5286
FQB30N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 66520
FQB30N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 66520
FQB30N06LTM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQB30N06LTM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 15462
FQB30N06LTM-NL Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 430
FQB30N06TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363

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