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FJV3108RMTF Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJV3101RLIMTF FAIRCHI CIs Calientes Especializados 4101
FJV3101RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 993875
FJV3101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 993875
FJV3101RMTF ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJV3102RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 42941
FJV3102RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 42941
FJV3102RMTF ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJV3103RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 132094
FJV3103RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 71263
FJV3103RMTF ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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