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FJV3103RMTF Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJV3101RLIMTF FAIRCHI CIs Calientes Especializados 4101
FJV3101RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 993875
FJV3101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 993875
FJV3101RMTF ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJV3102RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 42941
FJV3102RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 42941
FJV3102RMTF ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJV3103RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 132094
FJV3103RMTF ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJV3104RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 476770

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