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FJN3304RBU Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-92-3
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJN3301 FAIRCH CIs Calientes Especializados 2692
FJN3301RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2738
FJN3301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2530
FJN3301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
FJN3301RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2647
FJN3301RTA ON Semiconductor Transistores BJT individuales
FJN3302RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2629
FJN3302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2565
FJN3302RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJN3302RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2184

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