FJN3301RTA Especificaciones técnicas

FJN3301RTA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Weight 240mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation 300mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
Continuous Collector Current 100mA
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 100mA
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 20
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJN3301 FAIRCH CIs Calientes Especializados 2692
FJN3301RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2738
FJN3301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2530
FJN3301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
FJN3301RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2647
FJN3302RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2629
FJN3302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2565
FJN3302RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJN3302RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2184
FJN3302RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 46437

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