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FGL35N120FTDTU Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 70A 368W TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Weight 6.756g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 368W
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 70A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Test Condition 600V, 35A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A
Switching Energy 2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
Length 20.2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Element Configuration Single
Power - Max 368W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Reverse Recovery Time 337 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 35A
Gate Charge 210nC
Td (on/off) @ 25°C 34ns/172ns
Gate-Emitter Voltage-Max 25V
Height 26.4mm
Width 5.2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'FGL35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGL35N120 FSC CIs Calientes Especializados 12388
FGL35N120FTD Original CIs Calientes Especializados 6916
FGL35N120FTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2666
FGL35N120FTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2733

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