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FGL35N120FTDTU Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 70A 368W TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 35A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 337ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 210nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 105A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 35A
Td (on/off) @ 25°C 34ns/172ns
Supplier Device Package TO-264
Power - Max 368W
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGL35N120 FSC CIs Calientes Especializados 12388
FGL35N120FTD Original CIs Calientes Especializados 6916
FGL35N120FTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2733
FGL35N120FTDTU ON Semiconductor IGBTs individuales

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