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FGA70N33BTDTU Especificaciones técnicas

Trans IGBT Chip N-CH 330V 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 149W
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 70A
Gate Charge 49nC
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 330V
Collector Emitter Breakdown Voltage 330V
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA70N30 FSC CIs Calientes Especializados 2506
FGA70N30TD Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 32363
FGA70N30TDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA70N30TDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA70N30TDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA70N30TDTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA70N30TTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA70N30TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA70N30TTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA70N30TTU ON Semiconductor IGBTs individuales

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