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FGA70N30TDTU Especificaciones técnicas

IGBT 300V 201W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Test Condition -
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 21ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 125nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 201W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench
Detailed Description IGBT Trench 300V 201W Through Hole TO-3PN
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA70N30 FSC CIs Calientes Especializados 2506
FGA70N30TD Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 32363
FGA70N30TDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA70N30TDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA70N30TDTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA70N30TTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA70N30TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32363
FGA70N30TTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA70N30TTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA70N33 FSC CIs Calientes Especializados 2647

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