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FGA40T65SHD Especificaciones técnicas

IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 268W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 268W
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 40A, 6 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 1.01mJ (on), 297μJ (off)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 6.401g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.1V
Reverse Recovery Time 31.8 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2.14V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Gate Charge 72.2nC
Td (on/off) @ 25°C 19.2ns/65.6ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA4060ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2674
FGA4060ADF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2702
FGA4060ADF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA40N60 FC CIs Calientes Especializados 2508
FGA40N60UFD FSC CIs Calientes Especializados 386
FGA40N60UFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2765
FGA40N60UFDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2527
FGA40N60UFDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA40N60UFDTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA40N65SMD Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 33576

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