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FGA40N65SMD Especificaciones técnicas

IGBT 650V 80A 349W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Switching Energy 820µJ (on), 260µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 42ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 119nC
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Td (on/off) @ 25°C 12ns/92ns
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 349W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA4060ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2674
FGA4060ADF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2702
FGA4060ADF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA40N60 FC CIs Calientes Especializados 2508
FGA40N60UFD FSC CIs Calientes Especializados 386
FGA40N60UFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2765
FGA40N60UFDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2527
FGA40N60UFDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA40N60UFDTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGA40N65SMD AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2909

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