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FDS2670 Especificaciones técnicas
FDS2670 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Weight | 130mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130m Ω @ 3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1228pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 3A |
Height | 1.5mm |
Width | 4mm |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 130MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 3A |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A Ta |
Rise Time | 8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Length | 5mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDS2670 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDS2670
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDS26" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDS26'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDS2670 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 108567 |
FDS2670 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2225 |
FDS2670 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 80417 |
FDS2670-NL | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 10922 |
FDS2670NL | FAI | CIs Calientes Especializados | 4420 |
FDS2672 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 71912 |
FDS2672 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 71912 |
FDS2672 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDS2672 MOS | FAICHIBA | CIs Calientes Especializados | 595 |
FDS2672-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2698 |
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