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FDS2672
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FDS2672 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | UltraFET™ |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2535pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FDS26" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDS26'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDS2670 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 108567 |
FDS2670 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2225 |
FDS2670 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDS2670 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 80417 |
FDS2670-NL | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 10922 |
FDS2670NL | FAI | CIs Calientes Especializados | 4420 |
FDS2672 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 71912 |
FDS2672 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDS2672 MOS | FAICHIBA | CIs Calientes Especializados | 595 |
FDS2672-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2698 |
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