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FDN5630 Especificaciones técnicas
FDN5630 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Voltage | 60V |
Element Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A Ta |
Rise Time | 6ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Threshold Voltage | 1V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Min Breakdown Voltage | 60V |
Length | 2.92mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 100mOhm |
Voltage - Rated DC | 60V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | 1.7A |
Number of Channels | 1 |
Power Dissipation-Max | 500mW Ta |
Current | 17A |
Power Dissipation | 500mW |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 1.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 6 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 1.7A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 60V |
Nominal Vgs | 2.4 V |
Height | 1.22mm |
Width | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDN5630 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDN5630
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDN56" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDN56'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDN5618 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 3500 |
FDN5618P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 127524 |
FDN5618P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6474 |
FDN5618P | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDN5618P IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2111 |
FDN5618P MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 5510 |
FDN5618P-NL | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 5403 |
FDN5618P-NL IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 30380 |
FDN5618P-SB4N007P | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 24489 |
FDN5618P_G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2663 |
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