FDN5618P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.25A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 1.25A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names FDN5618PDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 30V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDN5618 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 3500
FDN5618P Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6474
FDN5618P ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDN5618P IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2111
FDN5618P MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 5510
FDN5618P-NL FAIRCHI CIs Calientes Especializados 5403
FDN5618P-NL IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30380
FDN5618P-SB4N007P Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 24489
FDN5618P_G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
FDN5630 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 97146

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