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FDC365P Especificaciones técnicas

FDC365P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 55MOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A Ta
Rise Time 3ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) -4.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 800mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55m Ω @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 35V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Threshold Voltage -1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage -35V
Feedback Cap-Max (Crss) 80 pF
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDC365P Documentos

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Otros incluyen   "FDC36"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDC36' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDC3601N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3812
FDC3601N Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3849
FDC3601N ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDC3601N MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 15277
FDC3601N-NL FAIRCHI CIs Calientes Especializados 3000
FDC3612 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2305
FDC3612 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 100339
FDC3612 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDC3612 IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3465
FDC3612 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 399

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