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FDC3601N Especificaciones técnicas

FDC3601N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500m Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
Rise Time 4ns
Turn-Off Delay Time 11 ns
Threshold Voltage 2.6V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 500MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 960mW
Current Rating 1A
Element Configuration Dual
Power Dissipation 960mW
Power - Max 700mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
FET Feature Standard
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDC3601N Documentos

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Otros incluyen   "FDC36"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDC36' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDC3601N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3812
FDC3601N Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3849
FDC3601N MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 15277
FDC3601N-NL FAIRCHI CIs Calientes Especializados 3000
FDC3612 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2305
FDC3612 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 100339
FDC3612 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDC3612 IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3465
FDC3612 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 399
FDC3612-NL Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 36000

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