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FDB0250N807L Especificaciones técnicas
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0250N807L MOSFET Transistor, N Channel, 240 A, 80 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2.9 VNew
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
Weight | 1.312g |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Element Configuration | Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15400pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 8V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 240A |
REACH SVHC | No SVHC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 7 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 214W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Vgs (Max) | ±20V |
Threshold Voltage | 2.9V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDB0250N807L Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDB0250N807L
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDB02" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDB02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB020N08BL7 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 3500 |
FDB024N04A | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20 |
FDB024N04AL7 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34294 |
FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1570 |
FDB024N04AL7 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB024N04AL7 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 518 |
FDB024N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30492 |
FDB024N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30492 |
FDB024N06 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB024N06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 266 |
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