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FDB024N04AL7 Especificaciones técnicas
MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
Weight | 1.312g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
Power Dissipation-Max | 214W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4m Ω @ 80A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 109nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 17 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 219A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 40V |
Height | 9.4mm |
Width | 4.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 7 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 214W |
Turn On Delay Time | 17 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Rise Time | 8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 71 ns |
Threshold Voltage | 1V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0024Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 864 mJ |
Length | 10.8mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDB024N04AL7 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDB024N04AL7
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDB02" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDB02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDB020N08BL7 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 3500 |
FDB024N04A | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20 |
FDB024N04AL7 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34294 |
FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1570 |
FDB024N04AL7 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 518 |
FDB024N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30492 |
FDB024N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30492 |
FDB024N06 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDB024N06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 266 |
FDB024N088L7 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 32363 |
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