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FCH22N60N Especificaciones técnicas
FCH22N60N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Weight | 6.39g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 205W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 16.9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A Tc |
Rise Time | 16.7ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 49 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 672 mJ |
Length | 15.95mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | SupreMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 205W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165m Ω @ 11A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 22A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 66A |
Height | 21mm |
Width | 5.03mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FCH22N60N Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FCH22N60N
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FCH22" partes
Las siguientes partes incluyen 'FCH22'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FCH22N60N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1037 |
FCH22N60N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12432 |
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