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FCH22N60N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 22A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SupreMOS™
Power Dissipation (Max) 205W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCH22N60N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12432
FCH22N60N ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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