FCH190N65F-F085 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Part Status Not For New Designs
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Power Dissipation-Max 208W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190m Ω @ 27A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3181pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.6A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCH190N65F Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 346
FCH190N65F-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2607
FCH190N65F-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 517
FCH190N65F-F155 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCH190N65F_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
FCH190N65F_F155 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
FCH191 SIEMENS CIs Calientes Especializados 326

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