FCH190N65F_F155 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FRFET®, SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3225pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.6A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCH190N65F Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 346
FCH190N65F-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2607
FCH190N65F-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCH190N65F-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 517
FCH190N65F-F155 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCH190N65F_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
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