FCH165N60E Especificaciones técnicas

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165m Ω @ 11.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2434pF @ 380V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 23A
REACH SVHC No SVHC
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Power Dissipation-Max 227W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 3.5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCH161 SIEMENS CIs Calientes Especializados 2507
FCH165N60E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2616
FCH165N60E Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2767
FCH165N65S3R0-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 834
FCH165N65S3R0-F155 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCH16N60 FSC CIs Calientes Especializados 69
FCH16P10Q NIEC CIs Calientes Especializados 1489

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