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FCH165N60E Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 23A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® II
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 11.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2434pF @ 380V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247
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Otros incluyen   "FCH16"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FCH16' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCH161 SIEMENS CIs Calientes Especializados 2507
FCH165N60E Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2767
FCH165N60E ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCH165N65S3R0-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 834
FCH165N65S3R0-F155 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCH16N60 FSC CIs Calientes Especializados 69
FCH16P10Q NIEC CIs Calientes Especializados 1489

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