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FCD9N60NTM Especificaciones técnicas

FCD9N60NTM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 92.6W
Turn On Delay Time 12.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Tc
Rise Time 9.6ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 28.7 ns
Threshold Voltage 3V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 27A
Length 6.73mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SupreMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Base Part Number FCD9N60
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 92.6W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.8nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 11.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "FCD9N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FCD9N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCD9N60N FAIRCHI CIs Calientes Especializados 32557
FCD9N60NTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18609
FCD9N60NTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50105
FCD9N60NTM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 374
FCD9N90NTM FSC CIs Calientes Especializados 58

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