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FCD9N60NTM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SupreMOS™
Power Dissipation (Max) 92.6W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FCD9N60NTMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 9A (Tc) 92.6W (Tc) Surface Mount D-Pak
Base Part Number FCD9N60
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Otros incluyen   "FCD9N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FCD9N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCD9N60N FAIRCHI CIs Calientes Especializados 32557
FCD9N60NTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18609
FCD9N60NTM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCD9N60NTM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 374
FCD9N90NTM FSC CIs Calientes Especializados 58

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