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FCB20N60FTM Especificaciones técnicas
FCB20N60FTM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | SuperFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 20A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 208W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190m Ω @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3080pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 65 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 20A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 690 mJ |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 190mOhm |
Voltage - Rated DC | 600V |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | FCB20N60 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 208W |
Turn On Delay Time | 62 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A Tc |
Rise Time | 140ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 230 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 60A |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FCB20N60FTM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FCB20N60FTM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FCB20" partes
Las siguientes partes incluyen 'FCB20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FCB2012KF-260T06 | TAITECH | CIs Calientes Especializados | 3610 |
FCB2012KF-260T07 | TAI-TEC | CIs Calientes Especializados | 40500 |
FCB2012WF-150T06 | CIs Calientes Especializados | 36362 | |
FCB20N60 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 1586 |
FCB20N60-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2571 |
FCB20N60F | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 18825 |
FCB20N60F-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 589 |
FCB20N60F-F085 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FCB20N60FTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33529 |
FCB20N60FTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33529 |
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