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FCB20N60FTM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET™
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FCB20N60FTMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3080pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK
Base Part Number FCB20N60
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FCB2012KF-260T06 TAITECH CIs Calientes Especializados 3610
FCB2012KF-260T07 TAI-TEC CIs Calientes Especializados 40500
FCB2012WF-150T06 CIs Calientes Especializados 36362
FCB20N60 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 1586
FCB20N60-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
FCB20N60F FAIRCHI CIs Calientes Especializados 18825
FCB20N60F-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 589
FCB20N60F-F085 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FCB20N60FTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33529
FCB20N60FTM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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