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EMA6DXV5T5G Especificaciones técnicas
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin SOT-553 T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 5 |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Voltage - Rated DC | -50V |
Current Rating | -100mA |
Pin Count | 5 |
Polarity | PNP |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-553 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 230mW |
Base Part Number | MA6 |
Number of Elements | 2 |
Power Dissipation | 230mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Lead Free | Lead Free |
EMA6DXV5T5G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para EMA6DXV5T5G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "EMA6D" partes
Las siguientes partes incluyen 'EMA6D'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
EMA6DXV5T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2680 |
EMA6DXV5T1 | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
EMA6DXV5T1 | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
EMA6DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2731 |
EMA6DXV5T1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
EMA6DXV5T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
EMA6DXV5T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2543 |
EMA6DXV5T5G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT |
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SIT1602BI-73-18S-48.000000G
SiTime
-40 TO 85C, 2016, 50PPM, 1.8V, 4
LTC6993CS6-4#PBF
LINEAR
LTC6993CS6-4#PBF LINEAR
VS-MURD620CTTRPBF
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