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EMA6DXV5T1 Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 230mW
Package / Case SOT-553
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SOT-553
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EMA6DXV5T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
EMA6DXV5T1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
EMA6DXV5T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2731
EMA6DXV5T1G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
EMA6DXV5T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
EMA6DXV5T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2543
EMA6DXV5T5G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
EMA6DXV5T5G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT

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