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DTA123JET1 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Published | 2006 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Current Rating | -100mA |
Base Part Number | DTA123 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
DTA123JET1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTA123JET1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTA12" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTA12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2553 |
DTA123ECAT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA123EE | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3432 |
DTA123EE TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 6010 |
DTA123EEBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA123EEFRATL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2598 |
DTA123EEFRATL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA123EEFTL | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1479 |
DTA123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 598 |
DTA123EET1 | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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