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DTA123EEFRATL Especificaciones técnicas

PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package EMT3
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Power - Max 150mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names DTA123EEFRATLCT
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Las siguientes partes incluyen  'DTA12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTA123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2553
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA123EE ROHM CIs Calientes Especializados 3432
DTA123EE TL ROHM CIs Calientes Especializados 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 598
DTA123EET1 ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA123EET1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados

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