BU807 Especificaciones técnicas

BU807 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 150V
Current Rating 8A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 60W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150V
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 150V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Collector Base Voltage (VCBO) 330V
Continuous Collector Current 8A
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2000
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 60W
Base Part Number BU807
Polarity NPN
Power Dissipation 60W
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 8A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BU807 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3179
BU807 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2881
BU807 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2328
BU807TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2742
BU807TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2532

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