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BU807 Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 60W
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 5A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Bulk
Other Names BU807-ND BU807FS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 150V 8A 60W Through Hole TO-220
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
Base Part Number BU807
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BU807 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2881
BU807 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2328
BU807 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BU807TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2742
BU807TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2532

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