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2N5684G Especificaciones técnicas
2N5684G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Copper, Silver, Tin |
Package / Case | TO-204AE |
Number of Pins | 2 |
Operating Temperature | -65°C~200°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 300W |
Terminal Form | PIN/PEG |
Current Rating | 50mA |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 2 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Gain Bandwidth Product | 2MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 50A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 80V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 26.67mm |
Width | 8.509mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tray |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Voltage - Rated DC | -80V |
Terminal Position | BOTTOM |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Frequency | 2MHz |
Base Part Number | 2N5684 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 300W |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 80V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 25A 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 10A, 50A |
Transition Frequency | 2MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 80V |
hFE Min | 15 |
Length | 38.8366mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
2N5684G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2N5684G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2N568" partes
Las siguientes partes incluyen '2N568'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5680 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 397 |
2N5680 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 427 |
2N5680 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5680 | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales | |
2N5681 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2537 |
2N5681 | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales | |
2N5682 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2762 |
2N5682 | F/MOT | CIs Calientes Especializados | 2638 |
2N5683 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2722 |
2N5684 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2738 |
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