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2N5680 Especificaciones técnicas
2N5680 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Packaging | Bulk |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | LOW LEAKAGE |
Terminal Position | BOTTOM |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | O-MBCY-W3 |
Operating Temperature (Max) | 200°C |
Configuration | SINGLE |
Polarity/Channel Type | PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 250mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1W |
Power Dissipation Ambient-Max | 10W |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Transistor Element Material | SILICON |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Form | WIRE |
Reach Compliance Code | unknown |
Base Part Number | 2N5680 |
Qualification Status | Not Qualified |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 1W |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10μA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Transition Frequency | 30MHz |
VCEsat-Max | 1 V |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
2N5680 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2N5680
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2N568" partes
Las siguientes partes incluyen '2N568'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5680 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 397 |
2N5680 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 427 |
2N5680 | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales | |
2N5681 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2537 |
2N5681 | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales | |
2N5682 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2762 |
2N5682 | F/MOT | CIs Calientes Especializados | 2638 |
2N5683 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2722 |
2N5684 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2738 |
2N5684 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2720 |
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