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PSMN1R7-60BS,118 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 9997pF @ 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 2 mOhm @ 25A, 10V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120A (Tc)
Other Names 1727-7106-2 568-9476-2 568-9476-2-ND 934065175118 PSMN1R760BS118
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 20 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 137nC @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4V @ 1mA
Expanded Description N-Channel 60V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
Description MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Capacitance Ratio 306W (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Breakdown D2PAK
Vgs (Max) 10V
RoHS Status Tape & Reel (TR)
Polarization TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Manufacturer Part Number PSMN1R7-60BS,118
IGBT Type ±20V
FET Feature N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60V
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Otros incluyen   "PSMN1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PSMN1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PSMN102-200Y Nexperia CIs Calientes Especializados 6911
PSMN102-200Y ,115 IC NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 311
PSMN102-200Y,115 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2534
PSMN102-200Y,115 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
PSMN130-200D PHILIPS CIs Calientes Especializados 10650
PSMN130-200D MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 302
PSMN130-200D+118 NXP CIs Calientes Especializados 523
PSMN130-200D,118 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2592
PSMN130-200D,118 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
PSMN165-200K PHI CIs Calientes Especializados 2258

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