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PSMN102-200Y,115
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PSMN102-200Y,115 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 113W (Tc) |
Package / Case | SC-100, SOT-669 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.7nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102 mOhm @ 12A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1568pF @ 30V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.5A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'PSMN1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PSMN102-200Y | Nexperia | CIs Calientes Especializados | 6911 |
PSMN102-200Y ,115 IC | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 311 |
PSMN102-200Y,115 | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
PSMN130-200D | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 10650 |
PSMN130-200D MOS | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 302 |
PSMN130-200D+118 | NXP | CIs Calientes Especializados | 523 |
PSMN130-200D,118 | Nexperia | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2592 |
PSMN130-200D,118 | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
PSMN165-200K | PHI | CIs Calientes Especializados | 2258 |
PSMN165-200K+518 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 40 |
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