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PHW80NQ10T,127 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 80A SOT429

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4720pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 263W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHW80NQ10T PHI CIs Calientes Especializados 4308

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