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VWM200-01P Especificaciones técnicas

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package V2-PAK
Power - Max -
Package / Case V2-PAK
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 210A
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