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VS-GB200NH120N Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Double INT-A-PAK
Package / Case Double INT-A-PAK (3 + 4)
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 420A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 200A (Typ)
Power - Max 1562W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Single
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GB05XP120KTPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2534
VS-GB05XP120KTPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2677
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100DA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 0
VS-GB100DA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2778
VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100LH120N Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2689
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VS-GB200NH120N fabricantes de marca: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip existencias, VS-GB200NH120N precio de referencia. VS-GB200NH120N parámetros, VS-GB200NH120N Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el VS-GB200NH120N Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar VS-GB200NH120N diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, VS-GB200NH120N tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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