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VS-GA100TS60SF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 220A 780W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package INT-A-PAK
Package / Case INT-A-Pak
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 16.25nF @ 30V
IGBT Type PT
Current - Collector (Ic) (Max) 220A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.28V @ 15V, 100A
Power - Max 780W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Half Bridge
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GA100NA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2586
VS-GA100NA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2504
VS-GA100NA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GA100TS120UPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2795
VS-GA100TS120UPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2544
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