VQ3001P-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1A, 12V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 850mA, 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package -
Power - Max 2W
Package / Case -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V
FET Type 2 N and 2 P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VQ3001J SIL CIs Calientes Especializados 2573
VQ3001P SILICNX CIs Calientes Especializados 1351
VQ3001P-2 SILICONIX CIs Calientes Especializados 38
VQ3001P-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2519
VQ3001P-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs

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