VQ2001P Especificaciones técnicas

MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 1A, 12V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package -
Power - Max 2W
Package / Case -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V
FET Type 4 P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VQ2001J SIL CIs Calientes Especializados 2265
VQ2001P Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 12318
VQ2001P Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
VQ2001P-2 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2764
VQ2001P-2 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2699
VQ2001P-2 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
VQ2004J SILICON CIs Calientes Especializados 529
VQ2004P sil CIs Calientes Especializados 2545
VQ2006J SIL CIs Calientes Especializados 2788
VQ2006P Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 22

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