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TN3019A Especificaciones técnicas

TRANS NPN 80V 1A TO-226

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 1W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-226
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-226
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TN3015H-6G STMicroelectronics SCRs Tiristores
TN3015H-6I STMicroelectronics SCRs Tiristores
TN3015H-6T STMicroelectronics SCRs Tiristores
TN3019 Original CIs Calientes Especializados 2243
TN3019A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2664
TN3019A ON Semiconductor Transistores BJT individuales
TN3019A Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
TN3019A_J05Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
TN3019A_J05Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2620

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