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SUD90330E-GE3
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SUD90330E-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | ThunderFET® |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1172pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 200V 35.8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SUD90330E-GE3CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.8A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SUD90330E-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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