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SSN1N45BBU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package TO-92-3
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 450V
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Otros incluyen   "SSN1N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SSN1N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSN1N45B F CIs Calientes Especializados 20500
SSN1N45BBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2582
SSN1N45BBU Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
SSN1N45BTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6768
SSN1N45BTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4503
SSN1N45BTA ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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