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SQM47N10-24L_GE3
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SQM47N10-24L_GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 40A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3620pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
SQM47N10-24L_GE3 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SQM47N10-24L_GE3
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Hojas de datos
SQM47N10-24L_GE3.pdf
Otros incluyen "SQM47" partes
Las siguientes partes incluyen 'SQM47'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SQM47N10-24L | VISH | CIs Calientes Especializados | 9583 |
SQM47N10-24L-GE3 | V | CIs Calientes Especializados | 2595 |
SQM47N10-24L_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2644 |
SQM47N10-24L_GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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