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SQJB68EP-T1_GE3
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SQJB68EP-T1_GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 27W |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SQJB68EP-T1_GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
SQJB68EP-T1_GE3 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SQJB68EP-T1_GE3
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SQJB6" partes
Las siguientes partes incluyen 'SQJB6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SQJB60EP-T1-GE3 | VIS | CIs Calientes Especializados | 3000 |
SQJB60EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2789 |
SQJB60EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2689 |
SQJB60EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SQJB60EP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SQJB68EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs |
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